結(jié)合當(dāng)今進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)和精密晶體產(chǎn)品技術(shù)，所有振蕩器都是在充以干燥氮?dú)獾那闆r下，通過(guò)電阻焊用金屬外殼和底座進(jìn)行密封的，它具有標(biāo)準(zhǔn)的DIP14（全尺寸）和DIP8（半尺寸）的引線結(jié)構(gòu)。我們有眾多的頻率規(guī)

結(jié)合當(dāng)今進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)和精密晶體產(chǎn)品技術(shù)，所有振蕩器都是在充以干燥氮?dú)獾那闆r下，通過(guò)電阻焊用金屬外殼和底座進(jìn)行密封的，它具有標(biāo)準(zhǔn)的DIP14（全尺寸）和DIP8（半尺寸）的引線結(jié)構(gòu)。我們有眾多的頻率規(guī)

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壓控晶體振蕩器的輸出頻率可以通過(guò)外部控制電壓來(lái)偏移或調(diào)制，類(lèi)似于晶體振蕩器， VCXO的頻率—溫度特性也是主要由使用的晶體元件來(lái)決定的。

壓控晶體振蕩器的輸出頻率可以通過(guò)外部控制電壓來(lái)偏移或調(diào)制，類(lèi)似于晶體振蕩器， VCXO的頻率—溫度特性也是主要由使用的晶體元件來(lái)決定的。

壓控晶體振蕩器的輸出頻率可以通過(guò)外部控制電壓來(lái)偏移或調(diào)制，類(lèi)似于晶體振蕩器， VCXO的頻率—溫度特性也是主要由使用的晶體元件來(lái)決定的。

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壓控晶體振蕩器的輸出頻率可以通過(guò)外部控制電壓來(lái)偏移或調(diào)制，類(lèi)似于晶體振蕩器， VCXO的頻率—溫度特性也是主要由使用的晶體元件來(lái)決定的。

由于在晶體振蕩器內(nèi)采用了電子（模擬或數(shù)字）補(bǔ)償方式，所以其輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，TCXO這種振蕩器是根據(jù)晶體的頻率—溫度特性，而采用改變晶體負(fù)載容量的方式來(lái)補(bǔ)償其頻率隨溫度的變化。

由于在晶體振蕩器內(nèi)采用了電子（模擬或數(shù)字）補(bǔ)償方式，所以其輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，TCXO這種振蕩器是根據(jù)晶體的頻率—溫度特性，而采用改變晶體負(fù)載容量的方式來(lái)補(bǔ)償其頻率隨溫度的變化。

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由于在晶體振蕩器內(nèi)采用了電子（模擬或數(shù)字）補(bǔ)償方式，所以其輸出的頻率隨溫度變化的偏差降低了，TCXO這種振蕩器是根據(jù)晶體的頻率—溫度特性，而采用改變晶體負(fù)載容量的方式來(lái)補(bǔ)償其頻率隨溫度的變化。